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多通道波束成型芯片系列

特性:

 8/4通道集成,部分支持双极化工作

 工作频率24.25~29.5GHz, 37~42.5GHz

 高线性输出功率

 集成高精度的移相和衰减

 快速增益/相位切换功能

 内置512幅相信息存储单元

 单电源3.3V供电

 标准SPI通信接口

 内置功率检测和温度传感功能

 采用低成本高集成度硅基工艺


产品详情

典型指标




MSTR111

MSTR104

频带

频带

24~29.5GHz

37~42.5GHz

TX

增益

28dB

23dB

OP1dB

21.5 dBm

17dBm

RX

增益

22dB

18dB

噪声系数

5dB

6.5dB

IP1dB

-35dBm

-30dBm

共同功能

通道数

八通道双极化

四通道双极化

四通道单极化

移相

6位/5.625°

6位/5.625°

衰减

7位/0.25dB

6位/0.5dB

工作温度

-40~105℃

-40~105℃

尺寸

5.5×5.9mm2

5.2×3.2mm2

封装

WLSCP

WLSCP

8通道MSTR111芯片原理框

图片1.png

典型应用

5G毫米波通信宏站、小站、皮站、Repeater、CPE等应用

宽带无线通信、测试仪器仪表应用

24GHz相控阵雷达应用

23GHz微波点对点回传应用

 5G毫米波小站套片方案

微信截图_20230221153801.png

高性能小基站套片方案:

1. 16颗BF芯片+2颗UDC芯片(1驱1天线单元方案)

2. 64单元64通道(16+2)芯片的双极化EIRP预计为56dBm(18+18+3+14+3=56dBm)

低成本小基站套片方案:

1. 8颗BF芯片+2颗UDC芯片(1驱2天线单元方案)

2. 64单元64通道(8+2)芯片的双极化EIRP预计为53dBm(18+15+3+14+3=53dBm)